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“柏林燈展”源于2005年,，由在柏林出生的比吉特?贊德發(fā)起,。自第 一屆起,，該燈展發(fā)展興盛,，成了遠(yuǎn)近聞名的燈展之一。2012年柏林燈光展 位于布蘭登堡門的部分,，是該屆燈展的主體部分,。3D的宏偉設(shè)施，4個(gè)高 清晰照明沿布蘭登堡門的前面灑下滿天的光輝,，直至巴黎廣場(chǎng),。布蘭登堡 門的平面,，復(fù)雜的外觀，眾多的臺(tái)階,、角落要想在夜間得到充分的展示,， 必須有強(qiáng)有力的明亮燈光。所使用的松下PT-DZ21K投影儀,，擁有2萬流 明的亮度,，并且可以在車上自由調(diào)節(jié)。而且該投影儀體格小,，體重輕......

一,、整體性原則強(qiáng)調(diào)現(xiàn)代建筑的整體性，合理規(guī)劃現(xiàn)代建筑燈光景觀的各構(gòu)成要素,；強(qiáng)調(diào)群體燈光環(huán)境的整體性,，處理好單體與群體的關(guān)系；重視單體燈光照明與其所處的燈光環(huán)境的整體性,，協(xié)調(diào)背景與主體的關(guān)系,，在強(qiáng)調(diào)單個(gè)燈具的個(gè)性與特色的同時(shí)又使之融入?yún)^(qū)域環(huán)境的景觀之中。二,、藝術(shù)性原則照明方式,、照度、光色等燈光環(huán)境要素及其組合的藝術(shù)性是燈光景觀設(shè)計(jì)的一個(gè)重要目的,。照明燈具及其安裝的藝術(shù)性是燈光景觀設(shè)計(jì)不可忽略的因素,。燈具設(shè)計(jì)的藝術(shù)性可以為整個(gè)燈光景觀設(shè)計(jì)增添意趣，使美學(xué)觀賞價(jià)值與實(shí)用......

補(bǔ)光燈主要用于建筑效果的地面輔助照明,，由于主燈照射建筑表面,，輔助燈照射建筑背光面，這使得建筑模型偏下的面部分處于死黑狀態(tài),，需要補(bǔ)光燈對(duì)其進(jìn)行照射,。補(bǔ)光燈也是使用泛光燈來進(jìn)行照射，照射方位是建設(shè)模型偏朝下的面部分,，具體的設(shè)置為 ：①頂視圖中,，補(bǔ)光燈主要設(shè)置在建筑的中心部分。②前視圖上,，逐漸將補(bǔ)光燈朝著建筑的下方移動(dòng),，具體的距離是基于建筑高度的 4 倍或 4 倍以上，讓補(bǔ)光燈對(duì)建筑每一個(gè)建筑面的照射強(qiáng)度基本相同,，避免建筑的部分區(qū)域出現(xiàn)過曝情況,。③補(bǔ)光燈照射的強(qiáng)度應(yīng)該是......

1,、業(yè)余比賽時(shí),，場(chǎng)地水平照度最小值與最大值之比不應(yīng)小于0?4,最小值與平均值之比不應(yīng)小于0. 6；2,、專業(yè)比賽時(shí),，場(chǎng)地水平照度最小值與最大值之比不應(yīng)小于0?5,最小值與平均值之比不應(yīng)小于0. 7?！踞屃x】無電視轉(zhuǎn)播要求的體育場(chǎng)館可進(jìn)行業(yè)余訓(xùn)練,、專業(yè)訓(xùn)練及業(yè)余比賽、 專業(yè)比賽等,。本條是參照CIE出版物《體育賽事中用于彩電和攝影照明的 實(shí)用設(shè)計(jì)指南》No. 169 (2005)制訂的,。

在有電視轉(zhuǎn)播要求的體育場(chǎng)館,，其比賽時(shí)場(chǎng)地照明應(yīng)符合下列規(guī)定: 1比賽場(chǎng)地水平照度最小值與最大值之比不應(yīng)小于0.5,；2比賽場(chǎng)地水平照度最小值與平均值之比不應(yīng)小于0?7； 3比賽場(chǎng)地主攝像機(jī)方向的垂直照度最小值與最大值之比不應(yīng)小于 0.4,；4比賽場(chǎng)地主攝像機(jī)方向的垂直照度最小值與平均值之比不應(yīng)小 于 0. 6,；5比賽場(chǎng)地平均水平照度宜為平均垂直照度的0. 75-2. 0；6觀眾席前排的垂直照度值不宜小于場(chǎng)地垂直照度的0. 25O【釋義】有電視轉(zhuǎn)播要求的體育場(chǎng)館的照度均......

用于氮化鎵研究的襯底材料比較多,但是能用于生產(chǎn)的目前只有兩種,即藍(lán)寶石(A1203)和碳化硅(SiC)襯底,。(1)氮化鎵襯底用于氮化鎵生長(zhǎng)的最理想的襯底是氮化鎵單晶材料,它可以大大提高外延片膜的晶體品質(zhì),降低位元錯(cuò)密度,提高器件工作壽命,提高發(fā)光效率,提高器件工作電流密度,。可是,制備氮化鎵體單晶材料非常困難,到目前為止尚未有行之有效的辦法,。有研究人員通過HⅤPE方法在其他襯底(如A1203,、SiC、LCO)上生長(zhǎng)氮化鎵厚膜,然后通過剝離技術(shù)實(shí)現(xiàn)襯底和氮化鎵厚膜的分......